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發(fā)布日期: (略)-(略)-(略)
物資名稱: 器材名稱:PHY;質(zhì)量等級:工業(yè)級;詳細(xì)規(guī)范或技術(shù)條件:Mars.1S,R(略),RGMII/S GMII Physical Layer
Transceiver,3.3V and
1.2V Power Supply,1
0/(略)/(略) BASE-T,le ad free QFN(略) PKG(Co pper),6x6x0.(略)mm,-(略)
℃~+(略)℃;封裝形式:QFN(略)-(略)
-6(略)6;|器材名稱:PHY;質(zhì)量等級:工業(yè)級;詳細(xì)規(guī)范或技術(shù)條件:Mars.1S,R(略),RGMII/S GMII Physical Layer Transceiver,3.3V and
1.2V Power Supply,1
0/(略)/(略) BASE-T,1e ad free QFN(略) PKG(Co pper),6x6x0.(略)mm,-(略) ℃~+(略)℃;封裝形式:QFN(略)-(略) -6(略)6;|器材名稱:PHY;質(zhì)量等級:工業(yè)級;詳細(xì)規(guī)范或技術(shù)條件:Mars.1S,R(略),RGMII/S GMII Physical Layer Transceiver,3.3V and
1.2V Power Supply,1
0/(略)/(略) BASE-T,le ad free QFN(略) PKG(Co pper),6x6x0.(略)mm,-(略) ℃~+(略)℃;封裝形式:QFN(略)-(略)
-6(略)6;|器材名稱:PHY;質(zhì)量等級:工業(yè)級;詳細(xì)規(guī)范或技術(shù)條件:Mars.1S,R(略),RGMII/S GMII Physical Layer Transceiver,3.3V and 1.2V Power Supply,1 0/(略)/(略) BASE-T,le ad free QFN(略) PKG(Co pper),6x6x0.(略)mm,-(略) ℃~+(略)℃;封裝形式:QFN(略)-(略) -6(略)6;|器材名稱:交換芯片;質(zhì)量等級:工業(yè)級;詳細(xì)規(guī)范或技術(shù)條件:支持8(略)千兆電接口(
變壓器前),支持SGMI
I、QSGMII接口;內(nèi)部
集成處理器核。;封裝形式:LQFP(略)-E PAD;|器材名稱:交換芯片;質(zhì)量等級:工業(yè)級;詳細(xì)規(guī)范或技術(shù)條件:支持8(略)千兆電接口(
變壓器前),支持SGMI I、QSGMII接口;內(nèi)部 集成處理器核。;封裝形式:LQFP(略)-E PAD;|器材名稱:交換芯片;質(zhì)量等級:工業(yè)級;詳細(xì)規(guī)范或技術(shù)條件:支持8(略)千兆電接口( 變壓器前),支持SGMI I、QSGMII接口;內(nèi)部
集成處理器核。;封裝形式:LQFP(略)-E
E
PAD;|器材名稱:交換芯片;質(zhì)量等級:工業(yè)級;詳細(xì)規(guī)范或技術(shù)條件:支持8(略)千兆電接口( 變壓器前),支持SGMI I、QSGMII接口;內(nèi)部 集成處理器核。;封裝形式:LQFP(略)-E PAD;|器材名稱:交換芯片;質(zhì)量等級:工業(yè)級;詳細(xì)規(guī)范或技術(shù)條件:無;封裝形式:BGA;|器材名稱:(略);質(zhì)量等級:工業(yè)級;詳細(xì)規(guī)范或技術(shù)條件:無;封裝形式:QFP(略);
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