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1.半導(dǎo)體薄膜濺鍍機(jī)，數(shù)量1套，原廠質(zhì)保（略）年，貨期3個(gè)月內(nèi)。 主要目標(biāo)：高精度薄膜制備、廣材料兼容性、功能性調(diào)控能力，且直接對(duì)接研究的 “深度需求” 與 “產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化邏輯”。能解決其他薄膜制備技術(shù)（如蒸發(fā)、溶膠 - 凝膠、化學(xué)氣相沉積（CVD）等）無法滿足的核心技術(shù)需求。2.半（略），數(shù)量1套，原廠質(zhì)保（略）年，貨期3個(gè)月內(nèi)。 主要目標(biāo)：用來表征電阻、二極管、晶體管、憶阻器和電容器的參數(shù)特性，比如電流-電壓(IV)測(cè)量和電容-電壓(CV)測(cè)量，且需要具備超快速脈沖測(cè)量。3.應(yīng)用于第六代通信（略）衛(wèi)星通信的（略）絡(luò)（略）析儀，數(shù)量1臺(tái)，原廠質(zhì)保（略）年，貨期3個(gè)月內(nèi)。 主要目標(biāo)：通過高頻段覆蓋、矢量測(cè)量精度、多端口協(xié)同與環(huán)境魯棒性的深度（略）合，既能滿足6G 毫米波通信的過渡性驗(yàn)證，又能完（略）衛(wèi)星通信的高頻段覆蓋。成（略）6G 與低軌衛(wèi)星通信從研發(fā)到量產(chǎn)的黃金標(biāo)準(zhǔn)工具。同時(shí)也可以用來量測(cè)微波器件和通信晶體器件。4.半導(dǎo)體薄膜納米級(jí)形貌成像儀，數(shù)量1臺(tái)，原廠質(zhì)保（略）年，貨期3個(gè)月內(nèi)。 主要目標(biāo)：設(shè)備能精準(zhǔn)匹配半導(dǎo)體領(lǐng)域的納米 / 原子尺度研究需求，且能同時(shí)實(shí)現(xiàn) “形貌表征 + 多物理性能（略）析 + 原位動(dòng)態(tài)觀察 + 無損檢測(cè)”5.超（略），數(shù)量1套，原廠質(zhì)保（略）年，貨期3個(gè)月內(nèi)（略）能在（略）間（通常數(shù)百至數(shù)千攝氏度）精準(zhǔn)捕捉材料介電性能（如介電常數(shù)、損耗（略）正切）隨溫度的連續(xù)變化規(guī)律，為材料在高溫環(huán)境下的應(yīng)用設(shè)計(jì)、性能優(yōu)化與失效預(yù)警提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐。