招標(biāo)項(xiàng)目編號：（略）-（略）thhrlab（略）
招標(biāo)范圍：磁控濺射儀作為核心工藝裝備，將支撐超順磁TMR材料的關(guān)鍵功能層制備與膜堆結(jié)構(gòu)調(diào)控，需具備單濺射腔多靶位高精度切換能力（≥（略）個(gè)靶位）、優(yōu)異的膜厚均勻性（≤1%，1sigma）、超高薄膜沉積精度（0.（略）nm），優(yōu)于（略）-8 Torr的極限真空度、穩(wěn)定的射頻與直流濺射源（略）以及低粒子污染的沉積環(huán)境，以實(shí)現(xiàn)膜層結(jié)構(gòu)的高一致性與批次重復(fù)性，為高精度傳感芯片的大規(guī)模開發(fā)和薄膜工藝優(yōu)化提供堅(jiān)實(shí)支撐（略）
招標(biāo)人：（略）驗(yàn)室
開標(biāo)時(shí)間：（略）-（略）-（略） （略）:（略）
公示開始時(shí)間：（略）-（略）-（略） （略）:（略）
評標(biāo)公示截止時(shí)間：（略）-（略）-（略） （略）:（略）
中標(biāo)候選人名單：
| 候選人排名 | 投標(biāo)商名稱 | 制造商 | 制造商國（略） |
|---|---|---|---|
| （略） | （略） TECHNOLOGIES AG | 德國 |
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